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作者:我BT 文章来源:本站原创 |
| 本文作者： 姚钢 7##tFED～Chmoc哙饕-堕曼曼．尊$宴曼望嘤峰量。I生堡甩鲫崾璺壁苎癣Il汽1电干计拜帆iq许硎夸K的智能』J联，硅Jy～I?l晌大家摘硅的^斗啦喂轨迹。血阳术求其中’L联畦蜥、J安垒硅丘捧时化进步n0‘k动力．Im^车电r问络洲费电r和_|．札晦用删是口太主要准功ql擎。过是Fcale往竹l’Tr2010Pf缸站L向中田-{f场发出的in总。rmcscale高缎坤】4裁精自惭市场营销宙Hcn¨RIchard表示．I}，附处i渚弗刨新应川的前沿．也是剌嘲创新拄术橄快的地R．所n虻I爸鞋FⅢscalc的处理器迁琏慷臻嚣．自“#为客门带来世的附加阶慷．Fcale与行怍他啡l靠H埕畦．提供适Jj，智能Ⅱ目l时心麓最需求的蕞译化解：*方寨。【上汽车『¨场为例，HrnnRlchard表示中闻L】前此卅界上盛凡的制造蚺地l目叫血硅碡凡的。n坤体产品悄僻2地。He㈣Rt乩aⅢk如，‘I-斟的年轻消费臂可能l|大屿山汽个的需#小是慢强删fa对lnr化择胜L上礁驾驶的针适鹰全柯蛙#的追求。耐压牟型台。据Fmcscalc珊娥洲．钽藏蕞嘲络和寥蝶怍薄总经理L啪5ufr绍．OI、r咐外键’F竹山r震硝兜j』￡的c5500禁尚，指々十札衍谴串高逸3I)MlPsMHz。8蚀的：50f{^州的P占理已推川迁将推m16、32梭的后续处理器产鼎。衙FaIc的商端DsP目前已亩4性产品115nHz∞¨1引耐息裳瑟站庳用。l+rccsca【e的移动征估解决直寨黧冲曰垡鬣㈣瓣瓣薰塞篆龄州m坫船州陀辋先佧吐积吣过供掘内阱嵌"骅悉墓篓差㈣㈣㈣燃肭㈣删㈣㈣㈣㈣雠觥删㈣燃㈣熊㈥一黼鐾篓升～怫耍续国投鞍卅【兰”己档下椰嚣三茹裟蒜嚣茹巡小酋w增市代建场杉场．靴门在把砷瑟溪囊墨qorIQ多眭处理器技术丌啦下代多服务路由奎换凯系列。华三通信¨划利用QorIQ处理器拄术的冉"能．高能谴自超继整台．采开发旨，r成对争球不断琏离的IP通信娥谴宰的下代删络设备。Llsasu击小，frccscaJc忙多棱处理器、Dsp和RF功率拄术领域只有J’鹰和潍度的解决方案体现将帮助中删光线堆站提高到新的性能和能娃水牛。 福建三元选jl直讯股份冉限砖甜．是一宗而向移动通信运营商的尢线催盖产品和解决方泰的专业提供商。推出中倒首敏高被【)ohe“y发射器的三元逃．也址通过采用FKcscaIe性能领先的RF功率横向扩散M0s(本网络游戏此点确实不错LDMOs)品体管，丧现了DrV发射器为uHF直m提供r显菩的节『n厦|lil凳产鼎中优件的输f{{功率。发射嚣对于TV广播电台址项庞大的选营成车．1Ⅲ达项运营戍奉的土婴虮成都”就是RF功书敏k精产巾的电能潲托。晕崩MRF6vP3450lI器件设计的啦射器不服每年能节约大量能源，而且Frcescale通过减少必要的RFJJj串晶体管数量．{Ⅳ助丌1J、显著译f《发射器战奉，据T解+jm过果用F撇al啪MRF6VP3450H搽件．这孰发甜器的效苹比uHF1v广播解决古案提高J‘50％．H系缆缎功耗亚少。rⅢscaIc们MRr6vP3450lI器件在PldBli提供越过450w的衅f^功书，仆n蚺个uHF』播频带一l，提供高娃率完美国际。Frecscale与电子科技大学在Mcu领域冉眷多年舟作．井进一步Ifl】TDscDMA和TDDLTE的DsP基带拓胜。 电子科技大学将使用f：mcscalc坫l。 Po州rArchltcctum技术达一高性能可授权产品e20026内核与FreescaIe共日开舱8杜Qor】QP4080处耻器．井与o#为tI-兴H1m、Men【or和AlIem建立联A吏蛉空升发通信市场膻智能电划等新增＆期城的{l={^式采统。e2㈣系列可占成高优秀装备娃内梭坫rPouerIsA版本203．牛朋}耐战水被培的嵌八式史时成川。c200乜描4个版本c2f)0，oc20(1zIc2(}Oz3和c200“内桉。而c20026内接是一款单发射7缎管线设缶提供外内棱具备的全部功能．外加一十巢成高建缓行啦Ⅱ，抖攫世sPEFPu和可选vLE功能。其高性能水下还能轻杜驱动监高缄】P横块而选蚌模块可m驱成到一个soc解决方案-hFmescale“H}-电r．通f领域是传统的固际领导J商世在消情电子和T业戊用中Freescale似。P在旨山推进．发市九#多良好川Jl悱验的解决靠察。以寥媒体为r1一心的滴鹰娄电子拄术址lMx的地盘，Frecscale目前士惟的琏基于ARMconexA8架构lmx5l处理器．锥恶．其剥缄版lmx53也即将髓布。在软件牛台lFreescaIcfL上于蜓番蚪Andmld．阴雨“对imx5l的AndⅫd蚰D仆发L经完成．井与多个终端厂商和jDH推出了多个坫HMx51的MID下扳电瞄的方案设计．据现场的Frees∞le台n二伙tl。秆婀．夸年内套肯多缺基rMx5l的芈板电牯上IH。槛l已经为其】'一代}BJ’刈嚷嚣解t≈厅案选择Fr一“啪1Mx5l应啪处理器．嵌处理器结台#OOMll7ARM(’orLcxA8cPu籼大审L2绕存存髓器．提供高性能的快速早瓒和删页功能，消费者可从采川FcaIc技术的投}电子阅读器产品小扶褂更佳的数宁闭睦体特以厦更＆的电池毒命。呆坩lMx51处理器的眭上E一800电F嘲读器．具有wPFl功能320B内存以眭竹辨宰为1024x768的8时电子龆永而板。 Roescob副总裁鼎亚盘睡意薮五觏电r使携产品的供电问题，一A址个制约园素，FMescaIPn0旗自日产品iMx5处理器除将各种特性和功能组台和起外．特制是其先进的电源管理特性．帮助蜒艮电池毒命并增加r电池舱川时川．时创新的超低待HL电源方宴也进步延长了电池待凯时州。墓F此．除】Mx技术平台外，捉f电干阅读嚣』￡将采用Frccscalc的MMA7660Fc骶功耗电容加速讣和Mcl3892电源管理lc．“㈣f¨场提Ⅱ}超低功耗的纤巧超薄先进电f刚诚器，品。嘶对新潮3D显示戊蚪1．F卅scak#要以蕊下ARMlI小台呐1Mx31和lMx31L处理器应耐。选曲款处弹器采崩丁Frcescale的smanspeed增强技术能够最大限l￡地提高肯渣周期件R争(ecPI)．为低功耗，性能比的移动娱乐解决冉案缝矗新的蚺准。豫此2外．处删器碰配有H上I目像处理怛元(IPu)．能够提供高选vljA30币s的税颧曛皱。lPu具有强大的控制制d步功能，H需占m极少甚争水占剖cpu资源。1M×系州也有面向上业应川的系州，不过m上-设计策略DEsJGNsTRATEGY“搽删到放上器n≈址他输¨lJ)J半。LawrenceDer矗示天线口动墒惜功能Ⅱ有被降峨功耗H不会造成制动【Jmcr)。他说．它的州l☆功能J：世冉两个．是侏证稳定的电力供一，这怂个比较新的应Ⅱj。是嘲}*目储颧#的功能．临牲电培．僳lm逃刊战睦输出电韫毋外它沿有延迥的问粒．I^|为厦储非常快．可以调节电流的太小。与lb予兀器件的运转*l比．^体的曲n址非常1{}的．祧不会造成逛逛的M题。另外￡的能硅较低．Mcun：硬件和软件州方血求吠理曲矩。LaDe咂强埘．洲啪nLak的l蝇台情号『c集成程度怍常高．荏戎"J的絮拇1H既有幢姒信号咀肯数字情廿．薜小米讲模似邬分恐甜频．数’部分为Mcu。 传统的璇仆-h射额的性能襁容轴鼍刊十扰．佩是slILabs在过个领域冉很多午ffJ}t啦，已解№r造个问题。硅上艺的优势拒进行射额通ln时需蝣个打明确界定的弼率．s¨lconLabs骨推}n蚺lcMf)s的s1500品振产品．蛳夸在s1帅IO中也采用了s1500。La”enccI)cr晓‘懈比坫J’sAw和柯品振n々捌种发射器设汁．cMOsl+艺型加烈插．ur血向ft意颧串，且频率更加精准．乳们的优点是纂波鹰高．一r降低成术．对钋传奇文章部的冲-lr和扳动1扰也柯讯々f的防御诎粜．*外．n-产品线上．sjlmnLabs埘氰一块芯H都套严洛删吐它温度和额率变化的*最以喂im产{＆能选目j娥好的敦聚。”纬过优化的80sl内核s05l是in常拧厦的垛成本内性．s14010采用终过优化的sI”ln为其控制单元。 L洲nccDcr表示．经过sllI∞nL曲s宜制的805IMcIJ具有4kBRAMmkBNVM和128似lEPROM．#ROM浆成j-函投功能船。该M(u的膏_}芊点垃支持128位AEs加密和”上辨试嚣。smconL曲s的产品线非常广泛．较高端阳产品套集成ARM内障．s14刚O驱啦s05I内恢的泄r}是甚于客门的需求：打先琏成丰．je次蜓重要的是该领域I鞋厢大多m805I进ir开发．剖此可降峨技求门槛加快lrl-琏噬。 1-EDNchina￡Pc器件都是采甩倒装工艺．为什么不采用攮MOsFET郡样的传统封装?AIexLIdow：为T实现高惰址的列装．需要做到：侏护器佧赴甓环崦下扰，n打低的嵛生奎数、高敏地散热。EPc器件已挣m品唧处理吐程中做r封装．因此水需要额热血传奇外封装就能保护器件不量环崦十拢。 与传统l}装的晶体管*眦．设lI帅n『以兜H发扭，虹小肄更低寄生电照和电阻EPc的cGaN器件。此外．牲口1的eGaN迁是一种驳而冷脚型嚣仆允许札电路概h敞啦热量。由Na帕EPc的eGaN器件技术路线囝将如何发展，AIexLldow：EP【的酏一代eGaN在i1=多方面部超地T一“场上衄好的功率MOsFEl这肫器什刚刚升始宕曲毕二】曲线，随什EPc埘这种优秀的新技术嘶镦摊的知眦小断成熟，州户啊掣膏刊每隔两年拽“l☆0cGaN群沣州能将盒提升两倍。 山}：我们的e6aN产品设计士蛋Ⅲl韩代功牢M0sFET．井月很快金特代TaBT。H时和々后几自·-hMOsFET和lGIlT生产商将是载¨生啦的竞争埘f。EDNchlna：如何以最佳方式评估#PC器件'AIexL}dow：洋陆这些器件的毋佳选佟是Ⅲ它们进fr产tn设计．造能让用门的产晶更恍川l。拽仉世提供演求和Jr埕氍f^j上L达雌井牲饭uf以育接州千mp设i}+我们日时已丌发r广泛的培I材章}吼厦演示板和sP】cE填型．所疗建砦学习诳潭部可“U乳们的州拈h}啪．川，、可以从#Pclq站上在询剁述蝗"蛙板。目喇·*·牡应川领域F¨uscalc进i，丁针时制的P品婀蚺，推ⅢcoIdnrc一系州和KInc￡Is系刮夺新M(u。(old^n十址来川coldnre的恢驱墟r巫#的外i2．宋崩90nm』艺．行蜒成rp什的俘储技术TFs(薄幢仔昭避备)提供r比任mi传统Mcu部魁见衙高被的存储方橐．井且可靠悄和奄命腓峨疆坷mrla“和Eepmm存储技术．此外．coldn¨+的一凡特色址增证r混台佶号处理能力如^I)cDAc电源管理可编栉艟太器箨。KⅢ11s是rfccs龃Ie新推{}1的墓干AltMc0RTExM4架杓Mcu．扛性能接近MPu．同时】t蜒成rlMB的rIash和敏雨kB的sRAM蚌豢啦丁电容触挫助能。暂能电阿址F”20lOh海站啦均引人羔注的上题．Ffeescajc州钊耐智能电丧和蜒中辫推出了矧心的解决方囊。血耐中冈巾廿体rH场旺盛的需求Fme㈣Ic继续加^^tIt捌的投资力嗖．在天津建书了吲^打胯Ic产品I。Mc填船审。F呲scaIe副总裁蕉讵太厦总蔽汪凯表示．“巾阿l¨场对jF愀aIc毽采越最要．2010最新传奇年h。r年b”I“中围的牡丹增长已有较奸协沁而Ion年盒借助中吲TI)的优化吱耻蜓匏缱的增长。’E硼wwwEONChlnacOm。 本文《Ｆｒｅｅｓｃａｌｅ的技术路线图得到中国用户认可》 --- 作者： 姚钢 |
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